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當前位置:首頁產品中心電鏡樣品制備鍍膜儀INS-H12MC高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀
高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀

產品簡介

單靶濺射、雙靶共濺、交替濺射

產品型號:INS-H12MC
更新時間:2026-01-30
廠商性質:經銷商
訪問量:23
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INS-H12MC

?單靶濺射、雙靶共濺、交替濺射

?一鍵鍍膜,全自動操作可編程自定義多層膜制備參


?多功能樣品臺支持旋轉、升降及傾斜功能


?一體成型真空室更優真空性能

?配備防污染系統有效保護鍍膜組件

?進口分子泵極限真空優于5×10-3Pa


主要參數

外形尺寸

278(L)×494(H)×467(D) mm

濺射靶頭

雙磁控濺射靶頭

靶材尺寸

Φ50mm,厚度支持0.1-2mm

可用靶材

所有金屬、導電材料等

工作電流

1-200mA可調(步長:1mA)

鍍膜時間

1-9999s可調(步長:1s)

真空泵

旋片泵(可選干泵)+分子泵

主真空泵抽速

90L/s

真空室

170(L)×150(H)×163.5(D) mm

一體加工金屬腔室

極限真空

≤5×10-3Pa

工作介質

氬氣

工作真空

0.5-1Pa可調

供電

AC220V/50Hz

額定功率

<800W

預濺射

全自動預濺射系統,防止樣品污染及組件污染、提高鍍膜純度

樣品臺

Φ80mm,支持旋轉、升降及傾斜功能

其它

真空度、工作電流可實時曲線顯示






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