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當前位置:首頁產(chǎn)品中心電鏡樣品制備鍍膜儀INS-H11MC高真空磁控濺射鍍膜儀
高真空磁控濺射鍍膜儀

產(chǎn)品簡介

配備防污染系統(tǒng)提高樣品鍍膜效果

產(chǎn)品型號:INS-H11MC
更新時間:2026-01-30
廠商性質:經(jīng)銷商
訪問量:19
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INS-H11MC


?一鍵式操作自動完成鍍膜全過程


?內置常用靶材參數(shù)一鍵調用,方便快捷

?極限真空優(yōu)于5E-3Pa滿足大部分場景需求


?一體成型真空室更優(yōu)真空性能

?配備防污染系統(tǒng)提高樣品鍍膜效果

?鍍膜過程樣品溫升少適用范圍更廣


主要參數(shù)

外形尺寸

278(L)×494(H)×467(D) mm

濺射靶頭

平面磁控冷濺射靶頭

靶材尺寸

Φ50mm,厚度支持0.1-2mm

可用靶材

所有金屬、導電材料等靶材

工作電流

1-200mA可調(步長:1mA)

鍍膜時間

1-9999s可調(步長:1s)

真空泵

旋片泵(可選干泵)+分子泵

主真空泵抽速

90L/s

真空室

170(L)×150(H)×163.5(D) mm

一體加工金屬腔室

極限真空

≤5×10-3Pa

工作介質

高純氬氣

工作真空

0.5-1Pa可調

供電

AC220V/50Hz

額定功率

<800W

預濺射

全自動預濺射清潔功能,配合預濺射擋板,防止樣品污染、提高鍍膜純度

樣品臺

Φ80mm,支持旋轉、升降及傾斜功能

其它

真空度、工作電流可實時曲線顯示






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