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當前位置:首頁產品中心晶體樣品制備光學浮區(qū)爐ScIDre HKZ高溫高壓光學浮區(qū)爐

高溫高壓光學浮區(qū)爐

產品簡介

德國SciDre公司推出的高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔壓力可達300bar,甚至10-5mbar的高真空

產品型號:ScIDre HKZ
更新時間:2024-11-18
廠商性質:經銷商
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德國SciDre公司推出的高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔壓力可達300bar,甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。

 

 

┃ 設備技術參數

 

  • 采用垂直式光路設計

  • 采用高照度短弧氙燈,多種功率規(guī)格可選

  • 熔區(qū)溫度:>3000℃

  • 熔區(qū)壓力:10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選

  • 氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選

  • 采用光柵控制技術,加熱功率從0-99% 連續(xù)可調

  • 樣品腔可實現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境

  • 豐富的可升選件

 

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