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Technical articles
更新時間：2025-08-20
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Anric Technologies成立于2014年，由哈佛大學ALD工藝著名專家Roy Gordon教授組的研究人員創立，旨在填補市場小型臺式原子層沉積(ALD設備)的空白，是為大學、初創企業、探索原子層沉積(ALD)技術的公司、啟動試點生產線以及專業制造商提供設計和優化的工具。
公司專注于ALD工藝和設備的研究，其核心技術成員都來自哈佛大學，他們在ALD工藝上積累了豐富的經驗，可以為客戶提供復雜的工藝定制化解決方案，是小樣品和低預算用戶的選項。
原子層沉積（ALD）簡介
原子層沉積是一種特殊的化學氣相沉積技術，是通過將氣相前驅體交替地通入反應室并在沉積基體表面發生氣 -固化學反應形成薄膜的一種方法。ALD 通常是A、B 的半反應序列組成，具有表面自限性的特點，有著優異的三維共形性、大面積的均勻性、亞單層的膜厚控制和低的生長溫度等。
原子層沉積原理
ALD 生長原理是通過反應前驅體交替沉積，在基材表面逐層沉積薄膜。
一個原子層沉積周期可分為四個步驟:
1.通入第一種前驅體:將第一種前驅體脈沖進入反應室，使其與基體表面發生化學吸附反應;
2.惰性氣體清洗:使用惰性氣體(如氮氣或氣)對反應室進行清洗，去除未反應的第一種前驅體和反應產生的副產物;
3.通入第二種前驅體:將第二種前驅體脈沖進入反應室，使其與吸附在基體表面的第一種前驅體發生化學反應生成薄膜;
4.再次惰性氣體清洗:再次用惰性氣體清除未反應的第二種前驅體及副產物。
ALD與其他薄膜沉積工藝對比
ALD的應用
產品核心優勢
√ 可提供該領域專家的工藝支持
√ 體積小且緊湊(占用空間少)
√ 低容量腔室意味著快速沉積和減少前驅體廢物以及深入滲透到三維結構中
√ 快速預熱(和冷卻)
√ 前驅體與腔室之間的距離短(減少管道堵塞的可能性)
AT 200M熱原子層沉積
市面上體積最小的ALD
小到可以放到手套箱的ALD
可做粉末的ALD
AT 200M Plus等離子體增強+熱原子層沉積
AT410/610/810熱型
AT650P/850P（等離子體增強） AT650T/850T（熱型）
AT-LT熱原子層沉積系統
全球100多家客戶重復購買 | ||
序號 | 客戶 | 應用領域 |
1 | Lam Research(6臺) | |
2 | 哈佛大學 | |
3 | 赫爾辛基大學 | 客戶 Mikko Ritala and Matti Putkonen |
4 | 早稻田大學(多臺) | 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、先進通孔制造(AlST) |
5 | 國立材料科學研究所(NIMS)#1 | 表面和薄膜中的聲子、原子尺度低維等離激元學、納米材料中的自旋軌道分裂 |
6 | 國立材料科學研究所(NIMS)#2 | 碳納米管中的自旋相關輸運、納米間隙制造和分子輸運、石墨烯中的帶隙工程、有機晶體管 |
7 | 東京大學 | ALD工藝 |
8 | 東京大學 | Dr Onaya |
9 | 牛津大學(2臺以上) | 客戶 Sebastian Bonilla |
10 | Precision TEM Santa Clara, CA | 樣品制備：HfO?,AlO? |
11 | 西北大學(美國) | |
12 | 劍橋大學(英國) | |
13 | 北京量子信息科學研究院 | |
14 | ENS-Paris(法國、高等師范學院) | |
15 | 萊斯大學 | |
16 | 英屬哥倫比亞大學(加拿大) | |
17 | 應用材料公司(AMAT-Applied Materials) | |
18 | 私人公司(Pivate Company) (美國俄勒岡州波特蘭)2臺 | TEM樣品制備：HfO?，AI?O?，Ta?O |
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